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March 07, 2009

エバネッセント光

なんかすごい研究のようなのでメモっておきます。

半導体中で発生した光を高効率で外部へ取り出す方法を発見[産総研]

物質表面で全反射が発生すると反射面の近くにだけ存在するエバネッセント光と呼ばれる特殊な光が発生することが知られている。エバネッセント光は、表面に沿って波長より短い距離を進むとすぐに物質内部に戻るため、通常、外部の空気中へ取り出すことができない。今回、微小なV字型の溝を持つ基板上にナノ構造を持つ半導体発光材料を形成したところ、二つのエバネッセント光が互いに干渉して、極めて高い効率で空気伝播(でんぱ)光に変換される現象を見いだした。

 今回用いた試料は、図1に示すように、微小なV字型の溝を持つヒ化ガリウム(GaAs)基板上に有機金属気相成長法を用いてGaAs/ヒ化アルミニウム・ガリウム (AlGaAs)系のナノ構造を形成したものである。V字型溝間の平坦部分の下に形成したGaAs量子井戸層(図1で赤い部分)の発光特性をフォトルミネセンス法で評価したところ、平坦面の横幅Wを1µm以下に狭くすると、発光の強度が急激に増大することが分かった(図2)。また、データを定量的に解析した結果、平坦面の横幅が約0.5µmの試料の場合、量子井戸で発生した光の50%以上が発光材料から空気中に放出されていることが判明した。これは従来の平坦基板を用いた半導体発光材料に比べて20倍も高い効率である。

Sansoken090303


エバネッセント光。。。初めて聞いたような。単なる勉強不足ですかね。

今日はホントメモなんで、特許検索したりはしません。土曜日だしね。

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