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May 20, 2010

裏面照射型CMOSセンサー

最新刊の日エレでこげな記事があるらしく。
最後の砦,撮像素子で勝利するソニー 業務執行役員 SVP 半導体事業本部 副本部長 鈴木 智行氏

── 韓国Samsung Electronics Co., Ltd.や米OmniVision Technologies, Inc.と手を組む台湾TSMC社などが,撮像素子市場で勢いを増しています。特に携帯電話機向けCMOSセンサでは,ソニーを大きく超える個数シェアを確保している。こうした状況をどうとらえていますか。

 今挙げたようなライバルには,絶対に負けたくないですね。我々には,日本の半導体業界における最後の砦だという自負があります。光の利用効率が高い裏面照射型CMOSセンサの量産出荷で先行するなど,現在も相応の実績を上げている。

 もし撮像素子の競争が単に物量だけ,コストだけの勝負だったら,我々の思いなんて通じないでしょう。我々は,ライバルほどの大規模工場を持っていないし,持てないですから。でも幸い,撮像素子は画質で勝負できる。まだまだ顧客に喜んでもらえる機能を追加できる


ソニンちゃんのCMOSセンサなんて買いませんけどね。営業部、態度デカイし。まあ、うちみたい弱小メーカーに供給するために作られているんじゃないでしょうが。

ソニンちゃんのカメラについては記事にしています。
高速連写カメラ

検索してたらこげな記事がありました。
ソニーの裏面照射型CMOSセンサー工場を訪ねる
~高い技術力でイメージセンサーのリーダーに~

ソニーが世界で初めて実用化した「裏面照射型CMOSセンサー」は、従来比約2倍の感度を実現した撮像素子だ。高感度撮影でもノイズが少ないのが特徴で、ソニーでは“Exmor R”の名称で訴求している。また今春は、ソニー以外のデジタルカメラ各社からも裏面照射型CMOSセンサーを搭載したモデルのリリースが相次いでいる。

裏面照射型CMOSセンサーの大まかな製造工程はこうだ。まずシリコン基板(ウエハー)上にフォトダイオードを設け、その上に配線層を設置する。ここまでは従来の表面照射型CMOSセンサーと同じだ。次に、全体をひっくり返してフォトダイオードの位置までシリコン基板を削っていく。その後、カラーフィルターやオンチップレンズを載せて完成となる。
裏面照射型CMOSセンサーの製造で最も困難なのが、シリコン基板を削る工程だという。表面照射型CMOSセンサーのシリコンから配線層までの厚さは約730μm。一方、裏面照射型CMOSセンサーはシリコン基板をフォトダイオードに達するまで削り、約8μmまで薄くする。実に1/90だ。どうやってそこまで薄く削るのかが気になるが、方法は秘密中の秘密という。

Sonycmosura_2
http://dc.watch.impress.co.jp/img/dcw/docs/351/111/html/09.jpg.html

逆転の発想、って感じですかね。

ニュースリリースもこのようにわかりやすく書いてほしいものです。

・従来比約2倍(*1)の感度および低ノイズで高画質を実現した、裏面照射型CMOSイメージセンサー 新開発

特許調査しても、出願人ソニーが圧倒的ですね。

日エレが私の手元に来たら読んでみたいと思います(回り回って二ヶ月遅れ)。

「画質で勝負」ソニンさんが太古の昔から毎回開発でおっしゃっているんですが、大丈夫なんでしょうか。いつもご協力ありがとうございますm(_ _)m。人気blogランキング・自然科学にぷちっとな。【押す】
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