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April 12, 2011

シリコンの次は炭化ケイ素

「SiC基板の特許総合力トップ3はデンソー、Cree、新日本製鐵」,パテントリザルトの調査から

特許分析などを行うパテントリザルトは,SiC製パワー半導体素子の作製に用いるSiC基板の関連特許の調査結果をまとめた。この中で,「総合力ランキング」では、1位がデンソー、2位が米Cree社、3位が新日本製鐵になったという。パテントリザルトはSiC基板関連で日本で出願されている特許を集計し、個別特許の注目度を得点化する「パテントスコア」(2011年2月末時点のもの)を基にして、特許の質と量から総合的に評価した。

 上位3社は,SiC基板に関する特許が数多くある点が共通するという。1位のデンソーは豊田中央研究所との共同出願である「a面成長」に関する特許,2位のCree社は欠陥密度に関する特許などの評価が高い点が特徴的とする。なお,両社はエピタキシャル基板に関する特許についても,高評価なものを持つという。3位の新日本製鐵は SiCのインゴットに関する特許の評価が高いという特徴がある。

 4位の豊田中央研究所は集計対象となる特許すべてがデンソーとの共願となっていた。5位の住友電気工業は,同社からカーブアウトしたベンチャー企業のシクスオンが共同出願人である特許の評価が高いとする。また、住友電気工業の子会社である日新電機を含めて計算すると、4位の豊田中央研究所を抜くという。

嘗てのライバル会社が列挙されていたので、興味を持った。うちは、半導体作っていないけど。シリコンは大好き?だし( ̄▽ ̄)v

SiC基板・デバイスのハイパワー応用*デンソーテクニカルレビュー

シリコンカーバイド(SiC)は,GaNやダイヤモンドなどと同じワイドバンドギャップ半導体の一種である.ワイドバンドギャップ半導体は,一般に耐熱性,耐薬品性が高いため,従来のSi半導体では使用できない環境(例えば,高温動作環境)で動作可能である.SiC半導体のうち特に4H-SiCは,他の結晶構造(6H,3Cなど)に比べてバンドギャップ(禁制帯)が大きいため耐熱性が高く,かつ電子移動度(電子の動きやすさの指標)が高いためデバイスの低抵抗化が可能など,物理的,機械的,電気的に次世代電子デバイス(ハイパワーデバイスなど)用半導体として期待されており,多くの研究機関,企業で基板成長からデバイス応用まで幅広く研究・開発が行われている.基板成長では,主にSiCの{0001}面成長が行われている.{0001}面成長では,成長の温度条件を慎重に最適化1することにより,結晶口径,結晶品質の改善がなされており,マイクロパイプ欠陥(ホロコア転位),インクルージョン(不純な介在物),小傾角粒界(結晶方位の微小なズレ欠陥),格子のそり(結晶格子の曲がり)等の欠陥は低減されている.しかしながら,依然マイクロパイプと高密度の転位欠陥(刃状,らせん,basal plane)が残存しており,SiC電子デバイスの特性,信頼性の実現の妨げになっている.

Raf

【炭化ケイ素】
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』

炭化ケイ素(Silicon Carbide、化学式SiC)は、炭素(C)とケイ素(Si)の1:1 の化合物で、天然では、隕石中にわずかに存在が確認される。鉱物学上「モアッサン石」(Moissanite)と呼ばれ、また、19世紀末に工業化した会社の商品名から「カーボランダム」と呼ばれることもある。ダイヤモンドの弟分、あるいはダイヤモンドとシリコンの「あいのこ」的な性質を持ち、硬度、耐熱性、化学的安定性に優れることから、研磨材、耐火物、発熱体などに使われ、また半導体でもあることから、電子素子の素材にもなる。

やっぱりシリコンの親戚?なのか。

半導体は宇宙物理学の次におもしろい。人気ブログランキングぷちっとな。【押す】≪コメントはここ

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