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June 16, 2012

IGZOトランジスタインバータ回路

【VLSI】ルネサス、多層配線に埋め込めるIGZOトランジスタでインバータ回路を形成

「2012 Symposium on VLSI Technology」のセッションT14「Novel Passive and Active BEOL Technologies」では、ルネサス エレクトロニクスが多層配線に埋め込めるIGZO(InGaZnO)トランジスタを用いてインバータ回路を形成し、動作を確認した結果について報告した。講演タイトルは、「Operation of Functional Circuit Elements using BEOL-Transistor with InGaZnO Channel for On-chip High/Low Voltage Bridging I/Os and High-Current Switches」である[講演番号:T-14.3]。

 ルネサスはこれまでも多層配線(BEOL)の中にトランジスタを作り込む「BEOLトランジスタ」と呼ぶ技術を開発してきた。チャネルにIGZO、ゲートやソース/ドレインに多層配線用のメタル材料を利用することで、わずか1枚の追加マスクでトランジスタを形成できる。また、IGZOはワイドバンドギャップ材料であることから10~100V程度の高耐圧トランジスタを形成しやすく、外部との電源インタフェースを論理LSI上に集積できるという特徴を持つ。


Tranzistor

Tranzistor2


♪ソース、♪ドレイン、♪ゲート、トランジスタと聞くと無闇に喜ぶアマサイ

多層配線なんてどこまで可能なんでしょうね。不思議です。

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