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November 02, 2012

IGZO TFT駆動の有機ELパネル

フラットディスプレイ展、行きたかったんですよね、去年も行けなかった。
orz

【FPDI 2012】新IGZO TFT駆動の有機ELパネル、半導体エネルギー研究所が国内初公開
2012/10/31

半導体エネルギー研究所は、13.5型と3.4型の有機ELパネルを、パシフィコ横浜で開催中の「FPD International 2012」(2012年10月31~11月2日)に出展した。2012年6月に米国ボストンで開催された「SID 2012」で、シャープと共同で技術発表したもの。国内で一般公開されるのは、今回が初となる。

 13.5型品が3840×2160画素(4K×2K)、3.4型品が960×540画素である。精細度は共に326ppiと高い。駆動素子には、IGZO層をc軸方向に結晶成長させた「CAAC(C-Axis Aligned Crystal)」構造と呼ぶ酸化物半導体TFTを用いた。白色有機EL素子にRGB3色のカラー・フィルタを用いてカラー表示を実現する。デバイス構造は、TFT基板とは逆側から光を取り出すトップ・エミッション。3.4型品は樹脂基板を用いることで、フレキシブル対応となった。


IGZOってなんだっけ。

c軸方向に結晶成長させる


 IGZOは酸化物半導体の一つ。シャープはアモルファスIGZO TFTを駆動素子に使ったタブレット端末向けの液晶パネルを、2012年3月から亀山第2工場で量産中である。量産中のアモルファスIGZO TFTは、テレビなどで使用されるアモルファスSi TFTに対し、キャリア移動度が20~50倍高く、オフのリーク電流が1/100と低い。これにより、アモルファスSi TFT駆動の液晶パネルに比べて、(1)高精細化、(2)低消費電力化、(3)タッチ・パネルの高性能化、の三つの性能向上が図れることをうたう(Tech-On!の関連記事)。さらには、アモルファスSi TFTと同等寸法の大面積ガラス基板でのガラス基板での量産できるという利点もある。

 今回、IGZO TFTの結晶性を高めることで、キャリア移動度やオフのリーク電流などの特性をさらに向上できるとする。例えば、85℃におけるリーク電流は、「100yA/μm(y(ヨクト):10-24)以下になる」(半導体エネルギー研究所 代表取締役の山﨑舜平氏)という。光照射に対するI-V特性の変動も抑えられるとする。これらの特性を生かし、結晶Si系の半導体と組み合わせることで、「メモリやイメージ・センサ、CPUなど、ディスプレイ以外の用途でもこれまでにない性能を実現できる」とする。

Igzo_fig


Igzo_fig2


なんだか思い出してきました。精細化が向上するというのはなんかで見たことあるんですよ。

って、アマサイブログで取り上げてました。


IZOトランジスタインバータ回路

シャープさんもたいへんだね。でも、開発する前にマーケットを定めないとねえ。

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