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December 13, 2012

ヘテロ型CMOS

ポストCMOSとは話が大きいですね。

【IEDM】Intelが微細化の極限とポストCMOSを展望、「いずれ全宇宙の星を超える数のトランジスタが同一ウエハーに」

米Intel社は「IEDM 2012」において、CMOSトランジスタの微細化を極限まで続けるための要素技術や課題、ポストCMOSデバイス技術に関する展望を示した(論文番号8.1)。CMOSトランジスタの微細化を極限まで続けるためには、短チャネル効果の抑制や高移動度チャネルの導入、寄生抵抗の低減が重要とした。ポストCMOSデバイスに関しては、電流の立ち上がりを急峻にしたSteep Slope FETや、スピン・デバイスが有望との見方を示した。

 短チャネル効果を抑える手法としては、ゲート・オール・アラウンド(GAA)構造のSi MOSFETやカーボン・ナノチューブFETが有望であるという。ただし、GAA構造のSi MOSFETではキャリア散乱によるチャネル移動度の低下が懸念され、カーボン・ナノチューブFETではオフ・リーク電流が大きいという課題があるとした。

 高移動度チャネルについては、pMOS向けではSiGeやGe、GeSn、nMOS向けではIII-V族化合物半導体を有望な候補として挙げた。課題は、高品質のゲート絶縁膜を形成する技術を確立することだという。一方、寄生抵抗を低減するためには、ソース/ドレイン抵抗の低減が重要だと指摘した。この課題に対してはソース/ドレイン部にメタル材料を導入する方法が有効だが、ショットキー障壁の高さに依存して動作特性が変わってしまうという問題を克服しなければならないとする。

 ポストCMOSデバイスであるSteep Slope FETの候補としては、トンネルFETやナノ・リレーを挙げた。トンネルFETは異種材料のヘテロ構造の制御が課題であり、ナノ・リレーは微細化技術の確立が課題になるとした。


Intelgaa


Intelspintorque

「全宇宙の星を超える」って、、、(^_^;)

日エレなのか、インテルなのか、タイトルのつけ方がうまいなあ。

ヘテロ構造でうまく稼働できるかがポイントということくらいアマサイにもわかります。

しかし、今の処、このような半導体技術がなかなか産業の発展、経済効果を生みにくいのも事実です。

半導体大好き乙女としては近年状況は哀しいであります。人気blogランキング・自然科学にぷちっとな。【押す】
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