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February 24, 2013

スピンでロジックインメモリIC

スルーしていたんですがよく見るとスピントロニクスの文字が。何かすごいんでは?


スピントロニクス:アマサイブログ

NECと東北大が狙う「待機電力ゼロSoC」が1歩前進、自動設計フローが整い大規模開発が容易に

東北大学とNECは、「スピントロニクス技術を用いたロジックインメモリIC」の設計環境を整備したと発表した。同ICを設計するための基本的な回路のライブラリなどを開発して、CMOS SoC向けと同じ「RTL→GDS-IIの自動設計フロー」を整えた。

 今回のICは、電子が持つ性質であるマイナス電荷や微細な磁石であるスピンを利用した"スピントロニクス論理IC"の1つである。東北大学が従来から開発を進めている、磁性体に対して垂直な磁化をもつ垂直磁化MTJ素子を利用している。MTJ素子は、内部状態を不揮発に保持できる(図1)。

 このMTJ素子とMOS回路を一体にした「NV-LIM(nonvolatile logic-in- memory)」構成を採ることで、コンパクトなメモリ一体型の低電力論理ICを実現可能である(図2)。これまでに東北大学とNECは、NV-LIM構成で汎用的な検索回路(TCAM)や、FPGA用のLUT(look up table)、加算器などを設計・試作して、MTJ素子やNV-LIM構成を評価してきた。

Spin_nec1

Spin_nec2_9


取り敢えず図ではコンパクトになるということしかわかりませんな。
(^_^;)

【公開番号】特開2013-36890(P2013-36890A)
【公開日】平成25年2月21日(2013.2.21)
【発明の名称】位置検出装置
【出願日】平成23年8月9日(2011.8.9)
【出願人】日本電気株式会社
【発明者】桐原 明宏、石田 真彦
【出願人】国立大学法人東北大学
【発明者】内田 健一、齊藤 英治
【要約】
【課題】外部電源が不要な位置検出装置を提供する。
【解決手段】本発明の位置検出装置は、磁化を有する磁性体層と、この磁性体層上に形成されスピン軌道相互作用を有する材料を含む導電パターン膜と、を含む。導体パターン膜は、磁性体層の磁化方向に交差する方向に延在し、かつ互いに平面上で交差する複数本の導体線からなる。磁性体層の任意の箇所が加熱又は冷却されることにより、磁性体層中の温度を変調し、スピンゼーベック効果を誘起することで、導電パターン膜中に電場を発生させ、それに伴う電位変化から温度変調の2次元位置と大きさの情報を推定可能である。
【選択図】図4

【特許請求の範囲】
【請求項1】
磁化を有する磁性体層と、
該磁性体層上に形成され、スピン軌道相互作用を有する材料を含む導電パターン膜であって、前記磁性体層の磁化方向に交差する方向に延在し、かつ互いに平面上で交差する複数本の導体線からなる前記導体パターン膜と、
を含む位置検出装置であって、
前記磁性体層の任意の箇所が加熱又は冷却されることにより、前記導電パターン膜および前記磁性体層中の有効温度を変調し、スピンゼーベック効果を誘起することで、前記導電パターン膜中に電場を発生させ、それに伴う電位変化から温度変調の2次元位置と大きさの情報を推定可能としたことを特徴とする、位置検出装置。

2013036890_8


さくっと読んでみたら、同じ図面使ってるから関係あるのかな、程度で上げてみました。

まだ製品という誰にでもわかる結果みたいのがないのでよくわかんないっすね。


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