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March 09, 2013

積層型CMOSイメージセンサ

【ISSCC】ソニー、TSVを用いた積層型CMOSイメージ・センサの実現技術を紹介


Exmor RSは、これまで同一チップ上に形成していた裏面照射型CMOSイメージ・センサの画素部と画像処理用の論理回路を分離し、それぞれを別チップとして製造した後、TSV(Si貫通ビア)によって積層接続した構造を採る。もともと裏面照射型CMOSイメージ・センサはチップを薄化する必要があるため、Siの支持体に貼り付けて利用していた。今回はSiの支持体を論理チップに置き換えた構造といえる。

 TSV技術の詳細については公表しなかったが、チップ同士を張り合わせた後、CMOSイメージ・センサの画素チップを貫通するTSVを形成し、論理チップと接続しているようだ。TSVはピクセル・アレイ領域には形成しておらず、画素チップ上のロウ・ドライバと論理チップ上のロウ・デコーダを接続する部分、および画素チップ上のコンパレータと論理チップ上のカウンタをつなぐ部分にそれぞれ用いている。

Sonycmos1_4

Sonycmos2


自社製品に使うんでしょうね。ソニーのCMOSなんて高くてどこも...どこもということはないか。前職ではアジアの聞いたことない会社からCMOSイメージ・センサ買ってましたからね。

特許出願の際は、よくソニーの特許公報を参考にしました。

技術も特許も一流であることは確かです。


関連特許を多く出していましたからこの分野に詳しくなりました。人気blogランキング・自然科学にぷちっとな。【押す】
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