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February 20, 2014

すべては「C」になる。

筐体からICまで「炭化」競争が始まる

Siは半導体材料としては必ずしも性能が高くなく、競合する候補材料が何度も現れるのですが、なぜかずっと勝ち残ってきました。でもそろそろ本当の限界が近づいています。そのポストSiの大本命が、CNTやグラフェンといった炭素材料です。

 これらの炭素材料の特徴はあまりに多くてとても一言では言えませんが、できるたけ簡単にまとめると、数ある電子/半導体材料の中で最も細いか薄く、しかも軽くて強くて熱を伝えやすく、さらに電子が動きやすい、といったところでしょうか。さらに将来は、材料の調達、精製コストがSiに比べて非常に安いという特徴も加わるでしょう。これらの特徴から、近い将来には、軽くてフレキシブルかつ丈夫で超高性能、超高感度のデバイスや機器が格安で作れるようになると考えられています。さまざまな乗り物や電子機器が、筐体から次第に炭素材料に置き換わる「炭化」が進みそうです。10年ほど先には高性能なマイクロプロセッサーまでが炭化している可能性もあります。

いつものように日エレのエディタはおおざっぱです。まるで材料がすべて「炭」になるかのようです。

しかしながらグラフェン、カーボンナノチューブなど注目の材料は、「C」から出来ているのは否めないことです。

http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20140212/333540/

東レは2014年2月12日、単層カーボンナノチューブ(CNT)を用いた塗布型TFTで、キャリア移動度13cm2/Vs、電流のオン/オフ比106という高い動作性能を達成したと発表した。2016年前後の実用化を目指すという。

安い軽いというのは材料として魅力的ですからかね。

日本は高い技術水準がありますが、他国にいつ抜かれてもおかしくない状態です。


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